SIS414DN-T1-GE3

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	SIS414DN-T1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Descrición	MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	SIS414DN-T1-GE3 PDF

Dispoñibilidade

En stock	513.686
Prezo por unidade	$ 0.00000

SIS414DN-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SIS414DN-T1-GE3 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	TrenchFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Obsolete
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	30 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	20A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	16mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id:	1.5V @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	33 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	795 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.4W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	PowerPAK® 1212-8
paquete / estuche:	PowerPAK® 1212-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.