IPB015N08N5ATMA1

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	IPB015N08N5ATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descrición	MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	IPB015N08N5ATMA1 PDF

Dispoñibilidade

En stock	2.222
Prezo por unidade	$ 6.96000

IPB015N08N5ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IPB015N08N5ATMA1 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	80 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	180A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	1.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	3.8V @ 279µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	222 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	16900 pF @ 40 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	375W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	PG-TO263-7
paquete / estuche:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.