IPB080N06N G

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	IPB080N06N G
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descrición	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	IPB080N06N G PDF

Dispoñibilidade

En stock	18
Prezo por unidade	$ 1.16000

IPB080N06N G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IPB080N06N G Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Obsolete
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	60 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	80A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	10V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	7.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	4V @ 150µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	93 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3500 pF @ 30 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	214W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	PG-TO263-3-2
paquete / estuche:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.