SCT2H12NYTB

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	SCT2H12NYTB
Fabricante	ROHM Semiconductor
Descrición	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	SCT2H12NYTB PDF

Dispoñibilidade

En stock	647
Prezo por unidade	$ 5.80000

SCT2H12NYTB Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCT2H12NYTB Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	1700 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	4A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	18V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id:	4V @ 410µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	14 nC @ 18 V
vgs (máx.):	+22V, -6V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	184 pF @ 800 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	44W (Tc)
Temperatura de operación:	175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	TO-268
paquete / estuche:	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.