SCTW35N65G2V

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	SCTW35N65G2V
Fabricante	STMicroelectronics
Descrición	SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	SCTW35N65G2V PDF

Dispoñibilidade

En stock	328
Prezo por unidade	$ 13.98000

SCTW35N65G2V Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCTW35N65G2V Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tube
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	650 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	45A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	18V, 20V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id:	5V @ 1mA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	73 nC @ 20 V
vgs (máx.):	+22V, -10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1370 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	240W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 200°C (TJ)
tipo de montaxe:	Through Hole
paquete de dispositivos provedores:	HiP247™
paquete / estuche:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.