TP65H300G4LSG

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	TP65H300G4LSG
Fabricante	Transphorm
Descrición	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	TP65H300G4LSG PDF

Dispoñibilidade

En stock	240
Prezo por unidade	$ 4.02000

TP65H300G4LSG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TP65H300G4LSG Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	-
paquete:	Tray
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	650 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	6.5A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	8V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id:	2.6V @ 500µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
vgs (máx.):	±18V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	760 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	21W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	3-PQFN (8x8)
paquete / estuche:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.