FCP650N80Z

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	FCP650N80Z
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrición	MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	FCP650N80Z PDF

Dispoñibilidade

En stock	6.572.400
Prezo por unidade	$ 2.12000

FCP650N80Z Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

FCP650N80Z Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	SuperFET® II
paquete:	Tube
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	800 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	10A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	10V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	650mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	4.5V @ 800µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1565 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	162W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Through Hole
paquete de dispositivos provedores:	TO-220
paquete / estuche:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.