IXTA3N100D2HV

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	IXTA3N100D2HV
Fabricante	Wickmann / Littelfuse
Descrición	MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	IXTA3N100D2HV PDF

Dispoñibilidade

En stock	600
Prezo por unidade	$ 2.97720

IXTA3N100D2HV Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IXTA3N100D2HV Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	-
paquete:	Tube
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	1000 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	3A (Tj)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	0V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	6Ohm @ 1.5A, 0V
vgs(th) (máx.) @ id:	4.5V @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	37.5 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1020 pF @ 25 V
característica fet:	Depletion Mode
disipación de potencia (máx.):	125W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	TO-263HV
paquete / estuche:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.