G2R1000MT17D

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	G2R1000MT17D
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descrición	SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	G2R1000MT17D PDF

Dispoñibilidade

En stock	267.553
Prezo por unidade	$ 4.86000

G2R1000MT17D Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

G2R1000MT17D Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	G2R™
paquete:	Tube
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	1700 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	4A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	20V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id:	4V @ 2mA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	+20V, -5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	139 pF @ 1000 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	53W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Through Hole
paquete de dispositivos provedores:	TO-247-3
paquete / estuche:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.