NVMFS6H801NWFT1G

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	NVMFS6H801NWFT1G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrición	MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	NVMFS6H801NWFT1G PDF

Dispoñibilidade

En stock	311.634
Prezo por unidade	$ 1.24713

NVMFS6H801NWFT1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

NVMFS6H801NWFT1G Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	80 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	23A (Ta), 157A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	10V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	2.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	4V @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	64 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4120 pF @ 40 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.8W (Ta), 166W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquete / estuche:	8-PowerTDFN, 5 Leads

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.