IRF2807ZSPBF

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	IRF2807ZSPBF
Fabricante	Rochester Electronics
Descrición	MOSFET N-CH 75V 75A TO263-3-2
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	IRF2807ZSPBF PDF

Dispoñibilidade

En stock	2.677
Prezo por unidade	$ 1.07000

IRF2807ZSPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRF2807ZSPBF Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	HEXFET®
paquete:	Bulk
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	75 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	75A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	-
rds activado (máx.) @ id, vgs:	9.4mOhm @ 53A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	4V @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3270 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	170W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	PG-TO263-3-2
paquete / estuche:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.