SIRA20BDP-T1-GE3

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	SIRA20BDP-T1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Descrición	MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	SIRA20BDP-T1-GE3 PDF

Dispoñibilidade

En stock	186.717
Prezo por unidade	$ 1.72000

SIRA20BDP-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SIRA20BDP-T1-GE3 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	TrenchFET® Gen IV
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	25 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	82A (Ta), 335A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	-
rds activado (máx.) @ id, vgs:	0.58mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	2.1V @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	186 nC @ 10 V
vgs (máx.):	+16V, -12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	9950 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	6.3W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	PowerPAK® SO-8
paquete / estuche:	PowerPAK® SO-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.