IMW120R030M1HXKSA1

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	IMW120R030M1HXKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descrición	SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	IMW120R030M1HXKSA1 PDF

Dispoñibilidade

En stock	668
Prezo por unidade	$ 22.83000

IMW120R030M1HXKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IMW120R030M1HXKSA1 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	CoolSiC™
paquete:	Tube
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	1.2 kV
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	56A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	15V, 18V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	40mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id:	5.7V @ 10mA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	63 nC @ 18 V
vgs (máx.):	+23V, -7V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2.12 nF @ 800 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	227W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Through Hole
paquete de dispositivos provedores:	PG-TO247-3-41
paquete / estuche:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.