NDD02N60ZT4G

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	NDD02N60ZT4G
Fabricante	Rochester Electronics
Descrición	600V 2.2A SINGLE N-CHANNEL
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	NDD02N60ZT4G PDF

Dispoñibilidade

En stock	93.728
Prezo por unidade	$ 0.27000

NDD02N60ZT4G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

NDD02N60ZT4G Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	-
paquete:	Bulk
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	600 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	2.2A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	10V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	4.8Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	4.5V @ 50µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	325 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	57W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	DPAK
paquete / estuche:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.