SI4497DY-T1-GE3

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	SI4497DY-T1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Descrición	MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	SI4497DY-T1-GE3 PDF

Dispoñibilidade

En stock	4.534
Prezo por unidade	$ 1.97000

SI4497DY-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SI4497DY-T1-GE3 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	TrenchFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	P-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	30 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	36A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	285 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	9685 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	8-SO
paquete / estuche:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.