SSM6N58NU,LF

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Parte do fabricante	SSM6N58NU,LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrición	MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	SSM6N58NU,LF PDF

Dispoñibilidade

En stock	20.471
Prezo por unidade	$ 0.48000

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SSM6N58NU,LF Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate, 1.8V Drive
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	30V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	4A
rds activado (máx.) @ id, vgs:	84mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id:	1V @ 1mA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	1.8nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	129pF @ 15V
potencia - máx:	1W
Temperatura de operación:	150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	6-WDFN Exposed Pad
paquete de dispositivos provedores:	6-UDFN (2x2)

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