PMDXB600UNEZ

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Parte do fabricante	PMDXB600UNEZ
Fabricante	Nexperia
Descrición	MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	PMDXB600UNEZ PDF

Dispoñibilidade

En stock	97.960
Prezo por unidade	$ 0.41000

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PMDXB600UNEZ Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	TrenchFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	20V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	600mA
rds activado (máx.) @ id, vgs:	620mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id:	950mV @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	0.7nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	21.3pF @ 10V
potencia - máx:	265mW
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	6-XFDFN Exposed Pad
paquete de dispositivos provedores:	DFN1010B-6

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