BSG0813NDIATMA1

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	BSG0813NDIATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descrición	MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	BSG0813NDIATMA1 PDF

Dispoñibilidade

En stock	783.080
Prezo por unidade	$ 1.24740

BSG0813NDIATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

BSG0813NDIATMA1 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
característica fet:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	25V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	19A, 33A
rds activado (máx.) @ id, vgs:	3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	2V @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	8.4nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1100pF @ 12V
potencia - máx:	2.5W
Temperatura de operación:	-55°C ~ 155°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	8-PowerTDFN
paquete de dispositivos provedores:	PG-TISON-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.