FDD3510H

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Parte do fabricante	FDD3510H
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrición	MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	FDD3510H PDF

Dispoñibilidade

En stock	474
Prezo por unidade	$ 1.25000

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FDD3510H Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	PowerTrench®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	N and P-Channel, Common Drain
característica fet:	Logic Level Gate
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	80V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	4.3A, 2.8A
rds activado (máx.) @ id, vgs:	80mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	4V @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	18nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	800pF @ 40V
potencia - máx:	1.3W
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
paquete de dispositivos provedores:	TO-252-4L

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