APTM100VDA35T3G

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Parte do fabricante	APTM100VDA35T3G
Fabricante	Microsemi
Descrición	MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Dispoñibilidade

En stock	2.925.510
Prezo por unidade	$ 0.00000

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APTM100VDA35T3G Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	POWER MOS 7®
paquete:	Bulk
estado da parte:	Obsolete
tipo fet:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	1000V (1kV)
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	22A
rds activado (máx.) @ id, vgs:	420mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	5V @ 2.5mA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	186nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5200pF @ 25V
potencia - máx:	390W
Temperatura de operación:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Chassis Mount
paquete / estuche:	SP3
paquete de dispositivos provedores:	SP3

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