BSM400D12P2G003

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	BSM400D12P2G003
Fabricante	ROHM Semiconductor
Descrición	SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Dispoñibilidade

En stock	4
Prezo por unidade	$ 2142.86000

BSM400D12P2G003 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

BSM400D12P2G003 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	-
paquete:	Bulk
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Half Bridge)
característica fet:	Silicon Carbide (SiC)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	1200V (1.2kV)
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	400A (Tc)
rds activado (máx.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (máx.) @ id:	4V @ 85mA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	38000pF @ 10V
potencia - máx:	2450W (Tc)
Temperatura de operación:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	-
paquete / estuche:	Module
paquete de dispositivos provedores:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.