SI5509DC-T1-GE3

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	SI5509DC-T1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Descrición	MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	SI5509DC-T1-GE3 PDF

Dispoñibilidade

En stock	1.116.025
Prezo por unidade	$ 0.00000

SI5509DC-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SI5509DC-T1-GE3 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	TrenchFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado da parte:	Obsolete
tipo fet:	N and P-Channel
característica fet:	Logic Level Gate
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	20V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	6.1A, 4.8A
rds activado (máx.) @ id, vgs:	52mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id:	2V @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	6.6nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	455pF @ 10V
potencia - máx:	4.5W
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	8-SMD, Flat Lead
paquete de dispositivos provedores:	1206-8 ChipFET™

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.