SI1012X-T1-GE3

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	SI1012X-T1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Descrición	MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	SI1012X-T1-GE3 PDF

Dispoñibilidade

En stock	2.568
Prezo por unidade	$ 0.54000

SI1012X-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SI1012X-T1-GE3 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	TrenchFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	20 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	500mA (Ta)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	1.8V, 4.5V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	700mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id:	900mV @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	0.75 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±6V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	250mW (Ta)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	SC-89-3
paquete / estuche:	SC-89, SOT-490

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.