EPC2010C

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	EPC2010C
Fabricante	EPC
Descrición	GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	EPC2010C PDF

Dispoñibilidade

En stock	11.234
Prezo por unidade	$ 6.56000

EPC2010C Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

EPC2010C Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	eGaN®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	200 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	22A (Ta)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	5V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	25mOhm @ 12A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id:	2.5V @ 3mA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	5.3 nC @ 5 V
vgs (máx.):	+6V, -4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	540 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de operación:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	Die Outline (7-Solder Bar)
paquete / estuche:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.