TPH3212PS

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	TPH3212PS
Fabricante	Transphorm
Descrición	GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	TPH3212PS PDF

Dispoñibilidade

En stock	559
Prezo por unidade	$ 14.65000

TPH3212PS Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TPH3212PS Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	-
paquete:	Tube
estado da parte:	Last Time Buy
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	650 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	27A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	10V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	72mOhm @ 17A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id:	2.6V @ 400uA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	14 nC @ 8 V
vgs (máx.):	±18V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1130 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	104W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Through Hole
paquete de dispositivos provedores:	TO-220AB
paquete / estuche:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.