TK100L60W,VQ

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	TK100L60W,VQ
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrición	MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	TK100L60W,VQ PDF

Dispoñibilidade

En stock	66
Prezo por unidade	$ 33.12000

TK100L60W,VQ Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TK100L60W,VQ Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	DTMOSIV
paquete:	Tube
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	600 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	100A (Ta)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	10V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	18mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	3.7V @ 5mA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	360 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	15000 pF @ 30 V
característica fet:	Super Junction
disipación de potencia (máx.):	797W (Tc)
Temperatura de operación:	150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Through Hole
paquete de dispositivos provedores:	TO-3P(L)
paquete / estuche:	TO-3PL

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.