IPP020N06NAKSA1

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	IPP020N06NAKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descrición	MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	IPP020N06NAKSA1 PDF

Dispoñibilidade

En stock	466.653
Prezo por unidade	$ 4.56000

IPP020N06NAKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IPP020N06NAKSA1 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tube
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	60 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	29A (Ta), 120A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	2.8V @ 143µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	106 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	7800 pF @ 30 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Through Hole
paquete de dispositivos provedores:	PG-TO220-3
paquete / estuche:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.