IRF40H210

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	IRF40H210
Fabricante	Rochester Electronics
Descrición	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - únicos
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	IRF40H210 PDF

Dispoñibilidade

En stock	7.883
Prezo por unidade	$ 0.56000

IRF40H210 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRF40H210 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	HEXFET®, StrongIRFET™
paquete:	Bulk
estado da parte:	Active
tipo fet:	N-Channel
tecnoloxía:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	40 V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	100A (Tc)
Tensión de accionamento (max rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds activado (máx.) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	3.7V @ 150µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5.406 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	125W (Tc)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete de dispositivos provedores:	8-PQFN (5x6)
paquete / estuche:	8-PowerVDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.