EPC2108

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	EPC2108
Fabricante	EPC
Descrición	GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	EPC2108 PDF

Dispoñibilidade

En stock	2.586
Prezo por unidade	$ 1.91000

EPC2108 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

EPC2108 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	eGaN®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
característica fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	60V, 100V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	1.7A, 500mA
rds activado (máx.) @ id, vgs:	190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id:	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
potencia - máx:	-
Temperatura de operación:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	9-VFBGA
paquete de dispositivos provedores:	9-BGA (1.35x1.35)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.