IPG20N06S2L35AATMA1

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	IPG20N06S2L35AATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descrición	MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	IPG20N06S2L35AATMA1 PDF

Dispoñibilidade

En stock	14.333
Prezo por unidade	$ 1.28000

IPG20N06S2L35AATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IPG20N06S2L35AATMA1 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	55V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	2A (Tc)
rds activado (máx.) @ id, vgs:	35mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	2V @ 27µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	23nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	790pF @ 25V
potencia - máx:	65W
Temperatura de operación:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount, Wettable Flank
paquete / estuche:	8-PowerVDFN
paquete de dispositivos provedores:	PG-TDSON-8-10

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.