EPC2110ENGRT

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	EPC2110ENGRT
Fabricante	EPC
Descrición	GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	EPC2110ENGRT PDF

Dispoñibilidade

En stock	261.187
Prezo por unidade	$ 2.37000

EPC2110ENGRT Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

EPC2110ENGRT Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	eGaN®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual) Common Source
característica fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	120V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	3.4A
rds activado (máx.) @ id, vgs:	60mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id:	2.5V @ 700µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	0.8nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	80pF @ 60V
potencia - máx:	-
Temperatura de operación:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	Die
paquete de dispositivos provedores:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.