SSM6N56FE,LM

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Parte do fabricante	SSM6N56FE,LM
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrición	MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	SSM6N56FE,LM PDF

Dispoñibilidade

En stock	27
Prezo por unidade	$ 0.50000

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SSM6N56FE,LM Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate, 1.5V Drive
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	20V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	800mA
rds activado (máx.) @ id, vgs:	235mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id:	1V @ 1mA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	1nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	55pF @ 10V
potencia - máx:	150mW
Temperatura de operación:	150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	SOT-563, SOT-666
paquete de dispositivos provedores:	ES6

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