IPG20N06S4L26ATMA1

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	IPG20N06S4L26ATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descrición	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	IPG20N06S4L26ATMA1 PDF

Dispoñibilidade

En stock	97.909
Prezo por unidade	$ 1.11000

IPG20N06S4L26ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IPG20N06S4L26ATMA1 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	60V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	20A
rds activado (máx.) @ id, vgs:	26mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	2.2V @ 10µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	20nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1430pF @ 25V
potencia - máx:	33W
Temperatura de operación:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	8-PowerVDFN
paquete de dispositivos provedores:	PG-TDSON-8-4

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.