DF11MR12W1M1B11BOMA1

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante	Rochester Electronics
Descrición	IGBT MODULE
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

Dispoñibilidade

En stock	83
Prezo por unidade	$ 120.00000

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	*
paquete:	Bulk
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Silicon Carbide (SiC)
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	1200V (1.2kV)
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	50A
rds activado (máx.) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id:	5.5V @ 20mA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	125nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3950pF @ 800V
potencia - máx:	20mW
Temperatura de operación:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Chassis Mount
paquete / estuche:	Module
paquete de dispositivos provedores:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.