IRF7389PBF

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Parte do fabricante	IRF7389PBF
Fabricante	Rochester Electronics
Descrición	P-CHANNEL POWER MOSFET
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	IRF7389PBF PDF

Dispoñibilidade

En stock	78.291
Prezo por unidade	$ 0.29000

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IRF7389PBF Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	HEXFET®
paquete:	Tube
estado da parte:	Obsolete
tipo fet:	N and P-Channel
característica fet:	Logic Level Gate
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	30V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	-
rds activado (máx.) @ id, vgs:	29mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	1V @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	33nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	650pF @ 25V
potencia - máx:	2.5W
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos provedores:	8-SO

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