SSM6N16FUTE85LF

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Parte do fabricante	SSM6N16FUTE85LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrición	MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	SSM6N16FUTE85LF PDF

Dispoñibilidade

En stock	5.360
Prezo por unidade	$ 0.52000

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SSM6N16FUTE85LF Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	20V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	100mA
rds activado (máx.) @ id, vgs:	3Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id:	1.1V @ 100µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	9.3pF @ 3V
potencia - máx:	200mW
Temperatura de operación:	150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivos provedores:	US6

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