CSD88539NDT

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Parte do fabricante	CSD88539NDT
Fabricante	Texas Instruments
Descrición	MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Dispoñibilidade

En stock	1.588
Prezo por unidade	$ 1.03000

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CSD88539NDT Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	NexFET™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	60V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	15A
rds activado (máx.) @ id, vgs:	28mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	3.6V @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	9.4nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	741pF @ 30V
potencia - máx:	2.1W
Temperatura de operación:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos provedores:	8-SO

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