IRF8313PBF

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	IRF8313PBF
Fabricante	Rochester Electronics
Descrición	HEXFET POWER MOSFET
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	IRF8313PBF PDF

Dispoñibilidade

En stock	1.471
Prezo por unidade	$ 0.24000

IRF8313PBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IRF8313PBF Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	HEXFET®
paquete:	Tube
estado da parte:	Obsolete
tipo fet:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	30V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	9.7A (Ta)
rds activado (máx.) @ id, vgs:	15.5mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	2.35V @ 25µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	9nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	760pF @ 15V
potencia - máx:	2W (Ta)
Temperatura de operación:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos provedores:	8-SO

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.