IPG20N04S4L07ATMA1

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Parte do fabricante	IPG20N04S4L07ATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Descrición	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	IPG20N04S4L07ATMA1 PDF

Dispoñibilidade

En stock	1.285
Prezo por unidade	$ 1.80000

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IPG20N04S4L07ATMA1 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	40V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	20A
rds activado (máx.) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	2.2V @ 30µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	50nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3980pF @ 25V
potencia - máx:	65W
Temperatura de operación:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	8-PowerVDFN
paquete de dispositivos provedores:	PG-TDSON-8-4

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