SQJB60EP-T1_GE3

A imaxe é para referencia, póñase en contacto connosco para obter a imaxe real

Parte do fabricante	SQJB60EP-T1_GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Descrición	MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	SQJB60EP-T1_GE3 PDF

Dispoñibilidade

En stock	640
Prezo por unidade	$ 1.13000

SQJB60EP-T1_GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SQJB60EP-T1_GE3 Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	60V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	30A (Tc)
rds activado (máx.) @ id, vgs:	12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	30nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1600pF @ 25V
potencia - máx:	48W
Temperatura de operación:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaxe:	Surface Mount
paquete / estuche:	PowerPAK® SO-8 Dual
paquete de dispositivos provedores:	PowerPAK® SO-8 Dual

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.