ALD212900APAL

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Parte do fabricante	ALD212900APAL
Fabricante	Advanced Linear Devices, Inc.
Descrición	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Categoría	produtos semicondutores discretos
Familia	transistores - fets, mosfets - matrices
Ciclo de vida:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Folla de datos	ALD212900APAL PDF

Dispoñibilidade

En stock	3
Prezo por unidade	$ 6.73000

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ALD212900APAL Especificacións

Tipo	Descrición
serie:	EPAD®, Zero Threshold™
paquete:	Tube
estado da parte:	Active
tipo fet:	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
característica fet:	Logic Level Gate
voltaxe de drenaxe a fonte (vdss):	10.6V
corrente - drenaxe continua (id) @ 25 °c:	80mA
rds activado (máx.) @ id, vgs:	14Ohm
vgs(th) (máx.) @ id:	10mV @ 20µA
carga de porta (qg) (máx.) @ vgs:	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	30pF @ 5V
potencia - máx:	500mW
Temperatura de operación:	0°C ~ 70°C (TJ)
tipo de montaxe:	Through Hole
paquete / estuche:	8-DIP (0.300", 7.62mm)
paquete de dispositivos provedores:	8-PDIP

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